RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
40
En -14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
2893
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link