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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
40
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
35
读取速度,GB/s
12.3
16.3
写入速度,GB/s
8.9
12.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
2893
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
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Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
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Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
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