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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
比较
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
总分
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
差异
规格
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差异
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
57
左右 -97% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
57
29
读取速度,GB/s
6.8
17.7
写入速度,GB/s
5.5
13.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1244
3401
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
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Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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