RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
40
En -14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
2660
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link