RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
71
En 44% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
71
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
1979
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link