RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
71
Около 44% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.9
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
12.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
71
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.2
Скорость записи, Гб/сек
8.9
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
1979
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link