RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
40
En -82% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.2
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.5
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
22
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
20.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
17.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
4014
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link