RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
80
En 50% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
80
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
1775
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link