RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
80
Autour de 50% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
80
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
1775
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link