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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
INTENSO 4GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs INTENSO 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
INTENSO 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.3
12.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
INTENSO 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
40
En -11% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
INTENSO 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
36
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
12.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
2061
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
INTENSO 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kllisre 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
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