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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
INTENSO 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs INTENSO 4GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Puntuación global
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INTENSO 4GB

INTENSO 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    12.3 left arrow 12.1
    Valor medio en las pruebas
INTENSO 4GB Razones a tener en cuenta
INTENSO 4GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    36 left arrow 40
    En -11% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.3 left arrow 8.9
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
INTENSO 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    40 left arrow 36
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.3 left arrow 12.1
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.9 left arrow 9.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1789 left arrow 2061

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB

INTENSO 4GB Comparaciones de la memoria RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
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Memoria RAM
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Kingston 9905598-026.A00G 16GB
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