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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Inmos + 256MB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Inmos + 256MB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Puntuación global
Inmos + 256MB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Inmos + 256MB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
49
En -63% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.5
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
16800
10600
En 1.58 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Inmos + 256MB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
30
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
11.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
16800
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
2318
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Inmos + 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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