RAM-Vergleich Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Inmos + 256MB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Inmos + 256MB

Gesamtnote

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Gründe für die Berücksichtigung
Inmos + 256MB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

30 49

Rund um -63% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

11.5 10.1

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

9.1 7.8

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

16800 10600

Rund um 1.58 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Inmos + 256MB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2070 2318

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns