RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Inmos + 256MB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против Inmos + 256MB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Inmos + 256MB Причины выбрать
Inmos + 256MB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    30 left arrow 49
    Около -63% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    11.5 left arrow 10.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.1 left arrow 7.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    16800 left arrow 10600
    Около 1.58 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Inmos + 256MB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    49 left arrow 30
  • Скорость чтения, Гб/сек
    10.1 left arrow 11.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.8 left arrow 9.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 16800
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow no data
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2070 left arrow 2318

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Inmos + 256MB Сравнения RAM

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения