Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Inmos + 256MB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Inmos + 256MB

Pontuação geral
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Pontuação geral
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Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

Diferenças

Inmos + 256MB Razões a considerar
Inmos + 256MB
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  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    30 left arrow 49
    Por volta de -63% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    11.5 left arrow 10.1
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.1 left arrow 7.8
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    16800 left arrow 10600
    Por volta de 1.58 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Inmos + 256MB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    49 left arrow 30
  • Velocidade de leitura, GB/s
    10.1 left arrow 11.5
  • Velocidade de escrita, GB/s
    7.8 left arrow 9.1
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 16800
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow no data
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2070 left arrow 2318
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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