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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.3
10.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
40
En -21% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
10.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
2235
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
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