Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB

Pontuação geral
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Pontuação geral
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    12.3 left arrow 10.3
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    8.9 left arrow 8.1
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    33 left arrow 40
    Por volta de -21% menor latência
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 12800
    Por volta de 1.5 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    40 left arrow 33
  • Velocidade de leitura, GB/s
    12.3 left arrow 10.3
  • Velocidade de escrita, GB/s
    8.9 left arrow 8.1
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1789 left arrow 2235
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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