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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
40
En -60% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
13.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
2825
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
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SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
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