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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Puntuación global
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Puntuación global
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    40 left arrow 45
    En 11% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.9 left arrow 8.0
    Valor medio en las pruebas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    40 left arrow 45
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.3 left arrow 12.3
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.9 left arrow 8.0
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1789 left arrow 1992

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones

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Memoria RAM
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
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Memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
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Memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Memoria RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
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Memoria RAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
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Memoria RAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Memoria RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Memoria RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
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Memoria RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
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Memoria RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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