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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
45
左右 11% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.9
8.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
40
45
读取速度,GB/s
12.3
12.3
写入速度,GB/s
8.9
8.0
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
1992
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
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