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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
40
En -38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
3582
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
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Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
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