RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
40
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3582
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link