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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
7.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
40
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
2565
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
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