RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
40
En -43% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
3273
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link