RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
47
En 36% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.8
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
47
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
11.8
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2323
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link