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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
47
左右 36% 更低的延时
需要考虑的原因
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.8
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
47
读取速度,GB/s
10.6
11.8
写入速度,GB/s
6.8
9.2
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2323
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
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