Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB

Puntuación global
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Puntuación global
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    24 left arrow 30
    En -25% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    16.6 left arrow 10.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.4 left arrow 6.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 8500
    En 2 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    30 left arrow 24
  • Velocidad de lectura, GB/s
    10.6 left arrow 16.6
  • Velocidad de escritura, GB/s
    6.8 left arrow 12.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    8500 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1479 left arrow 3037
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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