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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
32
En 6% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
32
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
3122
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Crucial Technology BL51264BA160A.16FH 4GB
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
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