RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
32
Autour de 6% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
32
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
3122
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link