RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
32
En 6% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
32
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2399
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link