RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
31
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
31
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2712
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link