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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
31
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.2
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
31
读取速度,GB/s
10.6
15.2
写入速度,GB/s
6.8
10.1
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2712
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
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