RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
41
En 27% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.5
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
41
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2797
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link