RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
30
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
3100
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link