RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
30
En -15% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
26
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
3648
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link