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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
30
Por volta de -15% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
26
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
15.3
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
3648
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
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