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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
39
En 23% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
39
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2725
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
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