RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
39
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
39
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2725
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link