RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
32
En 6% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
32
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2987
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link