RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
32
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2987
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link