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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
30
En -20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
25
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2994
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
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