RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
21.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
65
En -132% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.9
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
21.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
16.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
3839
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link