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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
45
En 33% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.4
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
45
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
11.4
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2281
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
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