Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Puntuación global
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Puntuación global
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Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    30 left arrow 32
    En 6% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    20.6 left arrow 10.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    14.7 left arrow 6.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 8500
    En 3.01 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    30 left arrow 32
  • Velocidad de lectura, GB/s
    10.6 left arrow 20.6
  • Velocidad de escritura, GB/s
    6.8 left arrow 14.7
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    8500 left arrow 25600
Other
  • Descripción
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1479 left arrow 3393
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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