RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
32
Por volta de 6% menor latência
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.6
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.7
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
8500
Por volta de 3.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
32
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
20.6
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
14.7
Largura de banda de memória, mbps
8500
25600
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
3393
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Lenovo 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link