RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
32
Por volta de 6% menor latência
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.6
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.7
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
8500
Por volta de 3.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
32
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
20.6
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
14.7
Largura de banda de memória, mbps
8500
25600
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
3393
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Corsair CML8GX3M1A1600C9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Jinyu 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link