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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
42
En 29% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.3
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
42
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
13.3
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2427
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
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