RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
42
Autour de 29% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.3
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
42
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
13.3
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
2427
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link