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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
37
En 19% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
37
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2591
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
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