RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
37
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
37
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
14.2
Скорость записи, Гб/сек
6.8
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2591
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link