RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
30
En -11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.6
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.7
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
27
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
16.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
3832
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link