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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.6
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.7
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
27
读取速度,GB/s
10.6
19.6
写入速度,GB/s
6.8
16.7
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
3832
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
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